芯朋微30W PD快充方案：PN8165+PN8307H(A)，搭配行業(yè)最精簡的SOT23-3 Boost芯片AP2080，輕松實(shí)現(xiàn)輸出功率20W向30W的快速升級迭代。并且與20W PD快充產(chǎn)品PN8161+PN8307全兼容！

　　

　　一、方案特征　　

　　■ 小尺寸設(shè)計(jì)：38mm(L)X36mm(W )X18mm(H)　　

　　■ 輸出規(guī)格 5V3A,9V3A,15V2A,20V1.5A,3.3-11V/3A　　

　　■ 滿足CoC V5 Tier2 能效規(guī)范　　

　　■ 待機(jī)功耗小于75mW　　

　　■ 最大輸出電壓紋波小于120mVP_P　　

　　■ 支持PD3.0協(xié)議　　

　　■ 整個(gè)方案包含：PN8165，PN8307H(A)和AP2080

　　

　　二、封裝及腳位配置

　　

　　PN8165主要特性　　

　　■ 內(nèi)置650V高雪崩能力的功率MOSFET　　

　　■ 準(zhǔn)諧振工作　　

　　■ 最高開關(guān)頻率125kHz　　

　　■ 外圍精簡，無需啟動電阻及CS檢測電阻　　

　　■ 內(nèi)置高壓啟動，空載待機(jī)功耗<50mW　　

　　■ 改善EM I的頻率調(diào)制技術(shù)優(yōu)異　　

　　■ 全面的保護(hù)功能(OVP,UVP,OTP,CS短路保護(hù)等）

　　

　　PN8307H主要特性　　

　　■ 集成MOS及SR控制于一體　　

　　■ DFN 5x6封裝　　

　　■ 適應(yīng)多工作模式：QR/DCM　　

　　■ SRMOS導(dǎo)通阻抗：100V/10m

　　

　　AP2080主要特性　　

　　■ 應(yīng)用于VDD輔助供電　　

　　■ 具有Boost功能，可實(shí)現(xiàn)：低VDD且寬輸出的需求，有利于能效設(shè)計(jì)

　　

　　三、DEMO 實(shí)物圖

　　

　　四、方案典型應(yīng)用圖

　　

　　五、待機(jī)功耗

　　

　　六、輸出規(guī)格及效率

　　

　　七、方案亮點(diǎn)　　

　　1、內(nèi)置高壓啟動和電流采樣的高精簡主控：PN8165集成650V0.55Ω智能MOSFET，無需外部啟動電阻和CS電阻，方便布線，并提升市電低壓下的轉(zhuǎn)換效率。　　

　　2、100V全集成同步整流：PN8307H(A)內(nèi)置100V/10mΩ智能MOSFET，自適應(yīng)死區(qū)控制提高M(jìn)OSFET Rdson利用率，顯著降低溫升，超高性價(jià)比。　　

　　3、兆赫茲SOT23-3升壓供電：AP2080采用兆赫茲開關(guān)頻率的COT控制技術(shù)，將儲能電感體積降至0805封裝，任何工況下PN8165供電范圍控制在11~35V，顯著提升15~20V輸出電壓下的轉(zhuǎn)換效率。　　

　　4、EMC性能卓越：采用QR控制方式+自適應(yīng)抖頻+智能功率器件等組合創(chuàng)新技術(shù)，改善系統(tǒng)EMC性能，傳導(dǎo)輻射裕量輕松大于6dB。　　

　　5、保護(hù)功能豐富：方案具有市電欠壓保護(hù)、輸出過壓保護(hù)、原副邊防直通保護(hù)、過載保護(hù)、過溫保護(hù)等，為充電器安全運(yùn)行保駕護(hù)航。　　

　　6、全系列腳位兼容：PN816x/PN8307x全系列芯片腳位相同，SOP8/PDFN兩種封裝靈活選擇，便于電源產(chǎn)品系列化設(shè)計(jì)及安規(guī)認(rèn)證。

　　

　　PN8165+PN8307H(A）30W pd快充方案5V0A時(shí)230V輸入的待機(jī)功耗在50mW左右，滿足75mW能效標(biāo)準(zhǔn)，5V9V12V15V平均效率相對于能效標(biāo)準(zhǔn)有2.5%以上裕量，20V輸出下平均效率相對于能效標(biāo)準(zhǔn)有2%以上的裕量，更多30w快充設(shè)計(jì)方案特點(diǎn)、應(yīng)用原理圖、變壓器設(shè)計(jì)、測試數(shù)據(jù)及應(yīng)用要點(diǎn)請向我們申請。>>