p-mos管怎么選型，p型mos管選型主要是從封裝類型、耐壓、導通電阻等多個參數及不同的應用需求去選擇，工程師在選擇p-mos管時，一定要依據電路設計需求及MOS管工作場所來選取合適的MOS管，選擇一款合適的p型mos管，可以很好地控制生產制造成本，最為重要的是將會充分發揮其“螺絲釘”的作用，確保設備得到最高效、最穩定、最持久的應用效果。

　　

　　目前驪微電子p-mos管可提供-30 ~ -150V，-3~-46A的P 溝道 MOSFET解決方案，封裝主要有SOP-8、TO-252、PDFN33等系列，能夠滿足不同的電路拓撲結構與終端使用需求。

　　

　　p型mos管選型表

型號	Vdss(V)	Id(A)	封裝	RDSON Max(mΩ)
SVT03110PL3	-30	-46	PDFN33	11
SVT03380PSA	-30	-6.5	SOP-8	38
SVT10500PD	-100	-30	TO-252	50
SVGP15751PL3	-150	-3	PDFN33	750
SVGP15161PL3A	-150	-9	DFN33	160

　　

　　SVT03110PL3 30V增強型p-mos管采用PDFN-8-3*3封裝，提供了超低的導通電阻和柵極電容，漏源電壓-30V，漏極電流-46A，RDs(on)(典型值))=7.0mΩ@Vcs=10V，典型應用于移動電源、吸塵器、筆記本電腦、充電器等領域。

　　

　　SVT03380PSA p-mos管采用SOP-8封裝，具有較低的導通電阻、優越的開關性能及很高的雪崩擊穿耐量，是-6.5A、-30V P溝道增強型場效應管，，RDs(on)(典型值))=38mΩ@Vcs=10V，典型應用于POS機、打印機、TV、電動工具、儲能等領域。

　　

　　SVT10500PD 100v耐壓p-mos管采用TO-252封裝，漏源電壓：-100V，漏極電流：-30A，RDS(on)(典型值)=35mΩ@VGS=10V，典型應用于報警器、儲能、電動工具等。

　　

　　SVGP15161PL3A p mos管場效應晶體管采用PDFN-8-3*3封裝，漏源電壓：-150V，漏極電流：-9A，RDS(on)(典型值)=130mΩ@VGS=10V，典型應用于5G電源、通訊電源、通訊設備等。

　　

　　P型MOS管是一種適合在低速、低頻領域內應用的器件，具有輸入阻抗高，驅動功率小，電路簡單等特點，被廣泛應用于汽車電子、電源管理、通信設備、工業設備、照明、便攜式產品、消費類電子與計算機3C產品等領域，更多p-mos管和N 溝道MOSFE產品選型及MOSFET國產替代手冊、參數等資料請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>